Izvor: B92, 30.Jan.2009, 21:37 (ažurirano 02.Apr.2020.)
Samsung napravio najgušću dinamičku memoriju
Samsung Electronics je u utorak objavio da je razvio prvi 4-gigabitni DDR3 DRAM čip koristeći litografski proces od 50 nanometara.
Izvor: Mikro
Novi čip ima duplo veći kapacitet od prethodnih čipova ove vrste i omogućava da se u dogledno vreme naprave memorijski moduli kapaciteta 32 GB.
U septembru prošle godine kompanija je prikazala svoj prvi DDR3 DRAM čip proizveden 50-nanometarskom tehnologijom čiji je kapacitet bio dva >> Pročitaj celu vest na sajtu B92 << puta manji, tj. 2 Gb.
Analitičari smataju da će čipovi dinamičkih memorija veće gustine dovesti do velikog smanjenja cena, kao i da ova Samsungova najava znači da industrija DRAM memorija još nije otpisana.
Cene DRAM memorija su u poslednje dve godine drastično smanjene zbog prevelike ponude koja je bila posledica prelaska na korišćenje silicijumskih podloga prečnika 300 milimetara sa kojih se dobija veći broj čipova. Neki proizvođači memorija su zbog toga i bankrotirali (na primer nemačka kompanija Qimonda AG koja je bankrot objavila pre nedelju dana, 23. januara).
Analitička kompanija IDC smatra da će DDR3 DRAM memorije ove godine učestvovati na tržištu dinamičkih memorija sa 29%, a 2011. sa 75%. DDR3 sa čipovima kapaciteta 2 Gb ili više, činiće 3% ukupnog tržišta DRAM memorija u 2009, a 33% u 2011.
Maksimalna propusna moć DDR3 čipova je 1,6 Gb/s. Sa čipovima kapaciteta 4 Gb praviće se za početak dvoredni memorijski moduli (Dual-in-line memory module, DIMM) od 16 GB za servere (Registered DIMM) i 8 GB za radne stanice i stone personalne računare (Unbuffered DIMM), kao i od 8 GB u pakovanjima tanjeg profila za prenosive računare (Small Outline DIMM).
Novi 4-gigabitni čip radi na 1,35 volti, što je 20% niže od prethodnika koji je radio na 1,5 V. U konfiguraciji modula od 16 GB ovi čipovi će imati 40% manju potrošnju od 2-gigabitnih, zbog veće gustine.
