Izvor: ITsvet.com, 15.Apr.2013, 10:33 (ažurirano 02.Apr.2020.)
Samsung 28-gigabit 3-bit cell flash
Samsung Electronics najavio je da će početi sa proizvodnjom 128GB, 3-bitne Multi-Level-Cell NAND memorijskog čipa korišćenjem 10nm proizvodne tehnologije. Proizvodnja će biti pokrenuta u toku ovog meseca, a ovaj visoko napredni čip će omogućiti memorijska rešenja visoke gustine, kao što su ugrađeni NAND skladišni kapaciteti i solid state drajvovi. Izvršni potpredsednik kompanije Samsung, Young-Hyun Jun, navodi da će predstavljanje sledeće generacije skladišnih proizvoda kao što je 128Gb NAND čip ovom proizvođaču omogućiti da izađe u susret rastućim potrebama potrošača na globalnom nivou.
Pročitaj ovu vest iz drugih izvora:
Napomena: Ova vest je automatizovano (softverski) preuzeta sa sajta ITsvet.com. Nije preneta ručno, niti proverena od strane uredništva portala "Vesti.rs", već je preneta automatski, računajući na savesnost i dobru nameru sajta ITsvet.com. Ukoliko vest (članak) sadrži netačne navode, vređa nekog, ili krši nečija autorska prava - molimo Vas da nas o tome ODMAH obavestite obavestite kako bismo uklonili sporni sadržaj.
