Izvor: B92, 11.Jun.2013, 09:31 (ažurirano 02.Apr.2020.)
SK Hynix sprema 4GB LPDDR3 RAM
Samsung već uveliko gura napred sa svojim 20nm LPDDR modulima, ali kompanija SK Hynix misli da može da bolje.
Umesto 2GB koliko nudi Samsung, stručnjak za memorije iz Koreje tvrdi da testira 20nm 8Gb (1GB) čipove koji mogu biti naslagani tako da pruže 4GB RAM-a u vrhunskim mobilnim uređajima.
Memorija će dolaziti sa prednostima LPDDR3, uključujući i brzinu prenosa podataka od 2.133Mbps, u poređenju >> Pročitaj celu vest na sajtu B92 << sa 1.600Mbps koje nude standardni LPDDR3 telefoni kao štao je Galaxy S4. Nova memorija takođe bi trošila znatno manje energije.
Jedino pitanje koje se postavlja jeste: Kad?
Na ovo SK Hynix malo zbunjujuće odgovara da ćemo krajem godine već biti u prilici da vidimo uređaje sa 2GB LPDD3 memorijom, iako ne planira da započne sa masovnom proizvodnjom do kraja 2013. godine.
Naravno, u jednom trenutku, najverovatnije tokom naredne godine, procesori srednjeg ranga poput ARM-ovog Coretexa A-12 teoretski će biti u stanju da drže više od 4GB, tako da ova količina RAM-a i nije toliko čudna ili preterana.
