Nanoprovodnici donose 10nm 3D tranzistore

Izvor: ITsvet.com, 11.Dec.2011, 21:50   (ažurirano 02.Apr.2020.)

Nanoprovodnici donose 10nm 3D tranzistore

Kada je reč o 3D tranzistorima kompanija Intel govori o 22nm tehnološkom procesu kojim je trenutno ovladala. Sa druge strane istraživački timovi sa Harvard i Purdue univerziteta rade na tome da potpuno napuste silikon i kreiraju 3D tranzistore od nanoprovodnika. Novi tranzistori će koristiti 10nm arhitekturu, dok je teorijska granica silikona 14nm. U okviru konvencionalnih 3D FinFET (tranzistori sa efektom polja) pojedinačne komponente su iste kao standardne, ravne, MOSFET, ali se umesto da se svaki sloj smešta pored, smešta jedan iznad drugog pa se stvara 3D arhitektura koja omogućava mnogo manje proizvodne procese.
Pogledaj vesti o: Intel

Nastavak na ITsvet.com...



Napomena: Ova vest je automatizovano (softverski) preuzeta sa sajta ITsvet.com. Nije preneta ručno, niti proverena od strane uredništva portala "Vesti.rs", već je preneta automatski, računajući na savesnost i dobru nameru sajta ITsvet.com. Ukoliko vest (članak) sadrži netačne navode, vređa nekog, ili krši nečija autorska prava - molimo Vas da nas o tome ODMAH obavestite obavestite kako bismo uklonili sporni sadržaj.