Izvor: ITsvet.com, 11.Dec.2011, 21:50 (ažurirano 02.Apr.2020.)
Nanoprovodnici donose 10nm 3D tranzistore
Kada je reč o 3D tranzistorima kompanija Intel govori o 22nm tehnološkom procesu kojim je trenutno ovladala. Sa druge strane istraživački timovi sa Harvard i Purdue univerziteta rade na tome da potpuno napuste silikon i kreiraju 3D tranzistore od nanoprovodnika. Novi tranzistori će koristiti 10nm arhitekturu, dok je teorijska granica silikona 14nm. U okviru konvencionalnih 3D FinFET (tranzistori sa efektom polja) pojedinačne komponente su iste kao standardne, ravne, MOSFET, ali se umesto da se svaki sloj smešta pored, smešta jedan iznad drugog pa se stvara 3D arhitektura koja omogućava mnogo manje proizvodne procese.
Pogledaj vesti o: Intel












